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    • SiC MOSFET
    SiC MOSFET

    SiC MOSFET

    650℃,1.2MeV高溫注入能力。
    1:先進(jìn)的碳膜保護(hù)及高溫退火工藝。
    2:業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的柵極氧化及缺陷控制技術(shù)。
    3:業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的SiC溝槽刻蝕技術(shù)。
    4:50微米超薄SiC晶圓BGBM工藝能力。
    5:先進(jìn)的APQP和6Sigma質(zhì)量管理,產(chǎn)品線良率穩(wěn)定。

    產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):


    • 超高溫處理能力(max.TJ = 200 °C)。

    • 極低的開(kāi)關(guān)損耗(隨溫度變化影響最?。┰试S工作在非常高的開(kāi)關(guān)頻率。

    • 在溫度范圍內(nèi)具有低導(dǎo)通電阻、易于驅(qū)動(dòng)、穩(wěn)定的超快速本體二極管。


    應(yīng)用市場(chǎng):


    清潔能源市場(chǎng):

    • 光伏發(fā)電系統(tǒng)、風(fēng)電系統(tǒng)等。

    軌道交通:

    • 地鐵、高鐵。

    商&工業(yè)市場(chǎng):

    • UPS、通信電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)等。

    醫(yī)療設(shè)備市場(chǎng):

    • MRI電源、X光機(jī)電源。

    航空市場(chǎng):

    • 配電系統(tǒng)、空調(diào)系統(tǒng)等。

    新能源車:

    • 外置充電器、車載充電器。 

    • 車載DC-DC轉(zhuǎn)換器。

    • 動(dòng)力電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

    • 能量回收。


    上一個(gè):SJ MOSFET 下一個(gè):IGBT

    在線詢價(jià)

    導(dǎo)航欄目

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