SGT MOSFET

1：采用國際先進的SGT制造工藝和一流的器件設(shè)計，產(chǎn)品具有優(yōu)異的電壓穩(wěn)定性和一致性，極快的開關(guān)速度，以及超低的導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通電阻對比傳統(tǒng)Trench MOSET優(yōu)化30%以上。
2：通過特殊注入工藝和專業(yè)的深溝槽結(jié)構(gòu)設(shè)計，對比同類產(chǎn)品具有更低的Qrr。
3：反向恢復(fù)時間更短。
4：采用優(yōu)化的接觸孔工藝和體區(qū)注入工藝，抗浪涌電流能力和抗雪崩擊穿能力大幅提高。
5：采用優(yōu)化的器件金屬結(jié)構(gòu)和鈍化保護工藝，使產(chǎn)品的抗短路能力和使用壽命大幅提高，可靠性更強。

產(chǎn)品優(yōu)勢：

輸入阻抗高、控制功率小、開關(guān)速度快。
較普通MOSFET更低的導(dǎo)通損耗和更小芯片面積。
抗雪崩擊穿和浪涌電流能力較強。

應(yīng)用市場：

家電市場：

掃地機器人、手持式吸塵器等。

消費類產(chǎn)品市場：

無線充電器、充電寶、電源適配器等。
無人機、電動車驅(qū)動等。

商&工業(yè)應(yīng)用市場：

鋰電動工具、逆變器、工業(yè)自動化控制等。
SMPS開關(guān)電源、通信電源、通信基站等。
小型儲能設(shè)備（便攜式移動電源等）、商&工業(yè)用儲能系統(tǒng)。

汽車電子：

汽車DC、BLDC驅(qū)動。
車載無線充電器。

產(chǎn)品：N-Channel Split Gate MOSFET

Part Number	Data	Package	VDS (V)	ID (A)	VGS (V)	RDS(ON) @10VTyp (mΩ)	RDS(ON) @10VMax (mΩ)	VGS(th) (V)	CISS (pF)	QG (nC)	PD (W)
AES001N100T		TO-263	100	120	±20	3.3	4.2	2、3、4	6956	95	225
AES001N100Z		TO-220	100	120	±20	3.6	4.5	2、3、4	6956	95	225
AES005N095T		TO-263	95	120	±20	4.1	5.1	2、3、4	5532	72	225
AES005N095Z		TO-220	95	120	±20	4.3	5.3	2、3、4	5532	72	225
AES007N095Z		TO-220	90	80	±20	6.1	7.2	2、3、4	3475	56.6	184
AES002N080T		TO-263	80	120	±20	2.6	3.2	2、3、4	6813	91	227
AES002N080Z		TO-220	80	120	±20	2.9	3.5	2、3、4	6813	91	227
AES003N080T		TO-263	80	120	±20	2.9	3.8	2、3、4	6050	74	208
AES003N080Z		TO-220	80	120	±20	3.1	4.1	2、3、4	6050	74	208
AES004N080T		TO-263	80	120	±20	3.7	4.6	2、3、4	4241	67	189
AES004N080Z		TO-220	80	120	±20	3.9	4.9	2、3、4	4241	67	189
AES006N080T		TO-263	80	120	±20	4.6	5.3	2、3、4	4032	65.7	220
AES006N080Z		TO-220	80	120	±20	4.9	5.5	2、3、4	4032	65.7	220
AES008N080T		TO-263	80	160	±20	1.5	2	2、3、4	12553	205	223
AES008N080Z		TO-220	80	160	±20	1.6	2.2	2、3、4	12553	205	223