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    1:采用優(yōu)化的硅/多晶/氧化硅刻蝕工藝控制低刻蝕選擇比，形成平整的肖特基界面，產(chǎn)品一致性更好，高頻特性更好。
    2:采用Ti作為肖特基界面勢壘金屬，良好的工藝兼容性及更低的成本，產(chǎn)品具有更低的導(dǎo)通壓降和導(dǎo)通損耗。
    3:成熟Trench刻蝕/柵極氧化/多晶填充工藝，產(chǎn)品可靠性更好，壽命更長。

    產(chǎn)品優(yōu)勢：

    • 高頻特性優(yōu)異。

    • 低導(dǎo)通壓降和低正向?qū)〒p耗。

    應(yīng)用市場：

    電源市場：

    • 電磁手機(jī)、筆記本電腦、顯示器適配器等。

    • SMPS開關(guān)電源、通信電源、及內(nèi)置電源的各類高頻電子產(chǎn)品。

    光伏市場：

    • 用作光伏電池板旁路二極管。


    上一個(gè)：IGBT 下一個(gè)：SiC SBD

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