功率半導體的小而美，東微半導的過去與未來

自2019年6月以來，科創(chuàng)板上市效應激發(fā)了創(chuàng)新資本“投早、投小、投科技”的積極性，打通了創(chuàng)投在科技創(chuàng)新行業(yè)“募投管退”全環(huán)節(jié)，促進了科技、資本與實體經濟的高水平循環(huán)。今年上市的功率半導體企業(yè)東微半導（688261.SH）即是科創(chuàng)板中典型的創(chuàng)新資本與公司價值共同成長的經典案例之一。

東微半導于2022年2月登陸科創(chuàng)板，在上市之初已備受市場青睞，發(fā)行PE倍數(shù)高達429.30倍，是上市后市場表現(xiàn)突出的百元股之一。

從東微半導的股東結構來看，上市前公司已匯聚包括原點創(chuàng)投、中新創(chuàng)投、聚源聚芯、哈勃投資、中小企業(yè)發(fā)展基金在內的多家知名創(chuàng)投機構。

數(shù)據(jù)來源：公開資料整理

其中，原點創(chuàng)投及中新創(chuàng)投均為元禾控股旗下機構，為國有股東。前者在東微半導的前身東微有限成立次年即已投資公司，投資年限超過10年，為元禾控股一貫堅持的價值投資和長期投資實踐。元禾控股專注早期、偏好技術、信守承諾，截至2022年10月的在投項目超250個。所投資和管理的項目中，87%屬于種子期和初創(chuàng)期，70%的投資屬于領投。東微半導坐落于元禾控股所在的蘇州工業(yè)園區(qū)，該園區(qū)由功率半導體產業(yè)發(fā)展起步早、基礎好，2021年，園區(qū)集成電路產業(yè)營收突破700億元，同比增長24%。作為園區(qū)重點功率半導體企業(yè)，東微半導將持續(xù)受益于園區(qū)政府的政策支持。

此外，持有公司7.46%股權的聚源聚芯重點投資集成電路芯片制造業(yè)，兼顧芯片設計、封裝測試等產業(yè)，以推動國家集成電路產業(yè)重點突破和整體提升。

而持有公司3.73%股權的中小企業(yè)發(fā)展基金，是國家中小企業(yè)發(fā)展基金首支實體基金，由深圳國資背景的深創(chuàng)投所控制的國中創(chuàng)投負責管理，在2022年三季度該基金出現(xiàn)在10家上市公司的前十大股東中，且多個報告期內未有變動。

此外，華為亦通過控股的哈勃投資持有公司4.93%股權，充分彰顯對公司技術實力的認可與發(fā)展前景的看好。

東微半導——登上過《Science》的芯片公司

東微半導當前已發(fā)展成為高性能功率半導體的頭部廠商之一，也是市場中最受機構關注的功率半導體“新星”。在成長過程中，作為一家初創(chuàng)公司，東微半導能夠在多輪融資中引入多家知名創(chuàng)投，與公司聯(lián)合創(chuàng)始人的技術實力密不可分。

據(jù)悉，公司聯(lián)合創(chuàng)始人王鵬飛博士和龔軼均曾就職于頂級國際芯片巨頭，擁有豐富的功率半導體產業(yè)經驗。其中，王鵬飛博士先后獲授權發(fā)明專利70余項，其中美國專利授權30余項，是國家高層次人才特殊支持計劃領軍人才入選者。王博士還是互補隧穿場效應晶體管（CTFET）的發(fā)明人，曾在英飛凌存儲器研發(fā)中心發(fā)明多項DRAM核心器件。在2013年，王鵬飛博士還研制出全球首個半浮柵晶體管（SFGT，Semi-FloatingGate Transistor），文章發(fā)表在頂級學術期刊《Science》上，這是我國微電子領域研究首次登上Science雜志。在A股，在《Science》發(fā)表過論文的芯片公司也幾乎僅此一家。

創(chuàng)始人的技術背景與實力，決定了東微半導在成立之初便具備國際化的視野與技術創(chuàng)新能力，盡管體量還相對較小，卻具備領先的核心技術，多項技術追平甚至超越了國外一流技術。在工業(yè)級及汽車級的功率器件領域實現(xiàn)了國產化替代。

東微半導當前主要產品包括GreenMOS系列高壓超級結MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低壓屏蔽柵MOSFET,并通過持續(xù)技術創(chuàng)新，進一步開發(fā)了超級硅MOSFET、TGBT、Super-Si等產品。作為一家低調的公司，應該還有較多的創(chuàng)新技術還處在秘而不宣的階段。

從應用領域看，東微半導是國內最早進入工業(yè)和汽車相關應用領域的功率器件廠商之一，產品也以工業(yè)級、車規(guī)級應用為主。由于工業(yè)級應用對功率半導體產品的性能和穩(wěn)定性要求普遍高于消費級應用，因此東微半導產品附加值也更高。

借助產品及技術優(yōu)勢，東微半導的品牌知名度和市場認可度不斷提高，其產品已進入華為、比亞迪、英飛源、維諦技術、EnphaseEnergy和麥格米特等多個高知名度客戶。超級硅 MOSFET器件進入中車株洲等客戶，并已批量供應微逆變領域的頭部客戶Enphase Energy。獲得比亞迪全資子公司弗迪動力有限公司頒發(fā)的“2021年度優(yōu)秀供應商”榮譽稱號。該等客戶供應鏈體系準入門檻高，獲得認證后粘性更強，有利于推動公司不斷進行技術升級，為公司的技術領先提供動力。

在供應商方面，東微半導與上游晶圓制造企業(yè)華虹半導體、粵芯半導體及DB Hitek等廠商保持穩(wěn)定的業(yè)務和技術合作關系，當前上述主要供應商正積極擴產。2022年上半年，公司還獲得了華虹半導體“12英寸平臺累計出貨100萬片卓越貢獻客戶”榮譽稱號。

伴隨著客戶群體的擴展與優(yōu)質供應商的深入合作，公司的銷售規(guī)模亦高速增長。數(shù)據(jù)顯示，2019年至2021年，東微半導營收從1.96億增長至7.82億，歸母凈利潤從0.09億增長至1.47億，3年間分別增長298.98%、1533.33%。2022年1-9月，公司營收與凈利潤已超過2021年總和，分別為7.90億、2.00億，同比增速分別達到41.29%、115.62%。據(jù)Wind數(shù)據(jù)，A股上市公司IGBT指數(shù)(8841291.WI)2022年三季度凈利潤同比增速均值為55.84%，東微半導115.62%的凈利增速在板塊中排名第二。

根據(jù)公開消息：東微半導最新還榮獲“2023中國半導體投資聯(lián)盟年會暨中國IC風云榜頒獎典禮”之人均創(chuàng)收（TTM）TOP100第一、人均創(chuàng)利（TTM）TOP100第一。榮獲“2022年度國家情懷·中國科創(chuàng)板評選”之“最具投資價值企業(yè)”。

MOSFET穩(wěn)定增長，TGBT持續(xù)放量，第三代半導體前瞻布局，未來持續(xù)高成長可期

東微半導的快速發(fā)展與盈利能力的增強，使得公司估值與基本面得到進一步匹配，截至最新PEttm為60.20倍，已具備較合理的配置價值。而當前東微半導新產品放量與技術布局使得公司發(fā)展兼具確定性和成長性。

在新產品方面，公司基于自主專利技術開發(fā)出650V、1200V及1350V等電壓平臺的多種TGBT系列IGBT器件已經實現(xiàn)量產，批量進入光伏逆變、儲能、直流充電樁、電機驅動等應用領域的多個頭部客戶；公司的創(chuàng)新型 Tri-gate IGBT 器件產品在2021年上半年開始送樣認證并少量出貨，半年度實現(xiàn)銷售收入 1710.46萬元，同比增長高達70倍以上，順利對基于傳統(tǒng)trench-gate FS-IGBT技術的芯片進行替代，表現(xiàn)出高速增長的態(tài)勢。

在技術布局方面，東微半導競爭優(yōu)勢突出，2022年上半年，公司在積極布局的基于第三代功率半導體SiC材料的功率器件領域中提出新技術路線，有望把握第三代半導體的發(fā)展趨勢，為公司帶來新的收入增長點。

中金公司報告指出，東微半導在硅基超級結MOSFET領域已出貨第四代產品，與英飛凌C7產品線形成對標，并服務工業(yè)電源、車載充電機、直流充電樁、光伏微逆等高端應用，超級結MOSFET收入體量大幅領先國內同業(yè)者。

在市場空間更廣闊的IGBT領域，公司自主研發(fā)的三柵IGBT（TGBT）第一代產品已經實現(xiàn)大規(guī)模量產出貨，多款第二代產品已經進入批量生產階段，收入有望進入快速成長期，在工業(yè)控制、光伏及儲能逆變器應用領域對國外品牌進行替代。此外，公司碳化硅相關專利產品已在客戶認證階段，有望延續(xù)其在硅基功率半導體領域優(yōu)秀底層設計能力，把握第三代化合物半導體在電力電子應用領域的發(fā)展浪潮，打開新的收入增長點。

結語：

國際上傳統(tǒng)能源向新能源的轉變是一個不可逆的過程，因而功率半導體也會在很長的時間內保持飛速發(fā)展。雖然在諸多國際巨頭前，東微半導目前只是一家營收一個多億美金的小不點，但是，東微半導掌握了多個核心技術并具備了國際競爭力。隨著技術優(yōu)勢不斷轉化為市場競爭力，公司在不久的將來可以走向更為廣闊的舞臺，占領更多高端市場，從而量變形成質變，成長為國產芯片行業(yè)的一顆明星。